规格书 |
|
标准包装 |
100 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) |
60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
100A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
4.7 mOhm @ 50A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
- |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
220nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
12500pF @ 20V |
功率 - 最大 |
1.65W |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-220-3, Short Tab |
供应商器件封装 |
SMP |
包装材料
|
Bulk |
最大门源电压 |
±20 |
安装 |
Through Hole |
包装宽度 |
4.5 |
PCB |
3 |
最大功率耗散 |
1650 |
最大漏源电压 |
60 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最大漏源电阻 |
4.7@10V |
每个芯片的元件数 |
1 |
最低工作温度 |
-55 |
供应商封装形式 |
SMP |
最高工作温度 |
150 |
渠道类型 |
N |
包装长度 |
10.2 |
引脚数 |
3 |
通道模式 |
Enhancement |
包装高度 |
8.8 |
最大连续漏极电流 |
100 |
封装 |
Bulk |
标签 |
Tab |
铅形状 |
Through Hole |
FET特点 |
Logic Level Gate |
安装类型 |
Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
100A |
封装/外壳 |
TO-220-3, Short Tab |
供应商设备封装 |
SMP |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
4.7 mOhm @ 50A, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
1.65W |
标准包装 |
100 |
漏极至源极电压(Vdss) |
60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
12500pF @ 20V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
220nC @ 10V |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
安装风格 |
Through Hole |
晶体管极性 |
N-Channel |
源极击穿电压 |
20 V |
连续漏极电流 |
100 A |
RDS(ON) |
3.6 mOhms |
功率耗散 |
1.65 W |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 150 C |
漏源击穿电压 |
60 V |
RoHS |
RoHS Compliant |
工厂包装数量 |
100 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
60 V |
晶体管类型 |
1 N-Channel |
品牌 |
ON Semiconductor |
Id - Continuous Drain Current |
100 A |
Pd - Power Dissipation |
1.65 W |
通道数 |
1 Channel |
Rds On - Drain-Source Resistance |
3.6 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage |
20 V |
技术 |
Si |